书目详细信息
： 图解入门,半导体器件缺陷与失效分析技术精讲
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-74962-2:CNY99.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi jpn |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 图解入门/.(日)可靠性技术丛书编辑委员会主编/.(日)上田修,(日)山本秀和著/.(日)二川清编著/.李哲洋等译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2024 |
| 载体形态项： | 159页:;+24cm |
| 丛编项： | 集成电路科学与技术丛书 |
| 一般附注： | 机工通信 |
| 提要文摘： | 本书共分为4章,内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏,用以介绍每个领域的某些方面。在第2-4章的末尾各列入了3道例题,这些例题出自日本科学技术联盟主办的“初级可靠性技术者”资格认定考试,题型为5选1,希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。 |
| 题名主题： | 半导体工艺 图解 |
| 中图分类： | TN305-64 |
| 个人名称次要： | 上田修 (日) 著 |
| 个人名称次要： | 山本秀和 (日) 著 |
| 个人名称次要： | 二川清 (日) 编著 |
| 个人名称次要： | 李哲洋 译 |
| 团体名称等同： | 可靠性技术丛书编辑委员会 主编 |
| 记录来源： | CN BWZ 20241201 |