书目详细信息
： 氮化镓与碳化硅功率器件:基础原理及应用全解
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-122-47754-5:CNY99.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi ita |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 氮化镓与碳化硅功率器件/.(意)毛里奇奥·迪保罗·埃米利奥(Maurizio Di Paolo Emilio)著/.邓二平，吴立信，丁立健译 |
| 出版发行项： | 北京:,化学工业出版社:,2025 |
| 载体形态项： | 195页:;+图:;+26cm |
| 提要文摘： | 本书阐释了氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体的原理、制造工艺、特性表征、市场现状以及针对关键应用的设计方法。针对GaN器件，从材料特性、芯片设计、制造工艺和外特性各方面进行分析，介绍了仿真手段和各种典型应用，最后还介绍了目前主流的技术和GaN公司。针对SiC器件，主要介绍了芯片工艺、芯片技术、可靠性等，并对核心应用，如新能源汽车、储能等方面进行了介绍。 |
| 并列题名： | GaN and SIC power devices eng |
| 题名主题： | 功率半导体器件 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 埃米利奥 (意) (Emilio, Maurizio Di Paolo) 著 |
| 个人名称次要： | 邓二平 译 |
| 个人名称次要： | 吴立信 译 |
| 个人名称次要： | 丁立健 译 |
| 记录来源： | CN XHWX 20251126 |