书目详细信息
： 纳米忆阻器与神经形态计算
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-70411-9:CNY89.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng kor |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 纳米忆阻器与神经形态计算/.(美)皮纳基·马祖姆德(Pinaki Mazumder)[等]著/.于永斌，胡小方，符艺原译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2022 |
| 载体形态项： | 14,243页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | IC设计与嵌入式系统开发丛书 |
| 一般附注： | 华章IT |
| 提要文摘： | 本书阐述了纳米器件的工作原理，重点介绍了用于非易失性存储器、神经网络训练/学习和图像处理的神经形态电路。第1章至第4章从物理特性、器件建模、电路仿真、架构等方面介绍了忆阻器交叉阵列存储器；第5章和第6章介绍了基于学习的神经形态设计；第7章至第10章研究了基于量子隧穿器件的图像处理、视频运动处理和彩色图像处理算法；第11章和第12章介绍并分析了基于忆阻器的细胞神经网络。 |
| 并列题名： | Neuromorphic circuits for nanoscale devices eng |
| 题名主题： | 纳米材料 非易失性存贮器 研究 |
| 中图分类： | TP333.8 |
| 个人名称等同： | 马祖姆德 (美) (Mazumder, Pinaki) 著 |
| 个人名称次要： | 于永斌 译 |
| 个人名称次要： | 胡小方 译 |
| 个人名称次要： | 符艺原 译 |
| 记录来源： | CN rentian 20220610 |